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面向SiC和GaN功率半导体栅极应力DGS测试解决方案
2024-06-24
面向SiC和GaN功率半导体栅极应力DGS测试解决方案
在SiC和GaN宽带隙材料中，新故障机制的某些影响不会体现在传统测试中，但会影响实际应用。DGS测试（动态栅极应力）弥补了该认证差距，其要求明显超出之前的测试程序，并且更具应用针对性。DGS是一种使用快速电压偏移来激励栅极端子故障机制的测试。该测试系统涵盖了所有相关的测试规范。此外，其运行完全自动化，并提供详细的报告供进一步数据分析使用。
系统特性
在DGS测试方面，可将行业扩展要求转换为自动化动态测试。为满足快速变化的需求，我们十分注重系统的灵活性。除激励外，DGS测试系统还提供多个原位测量，以确定规定时间段内的相关参数。这些原位测量有效地显示了动态栅极应力对栅氧化物的长期影响，并支持您为客户提供精确的说明。
